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Un ex dirigente di Samsung è stato arrestato e incriminato in Corea del Sud per aver presumibilmente rubato la tecnologia del leader nella produzione di chip per costruire un impianto clone in Cina. Secondo l’accusa, l’ex vicepresidente di Samsung, un cittadino coreano di 65 anni che aveva anche lavorato come vicepresidente per il concorrente SK Hynix, avrebbe acquisito illegalmente informazioni necessarie per costruire strutture avanzate di produzione di chip.
Il furto di tecnologia e la costruzione dell’impianto
L’obiettivo dell’ex dirigente, secondo i procuratori, era replicare un impianto di semiconduttori a soli 1,5 km di distanza dall’impianto di chip di memoria di Samsung a Xi’an, in Cina occidentale. “Non si tratta di una semplice fuga di tecnologia dei semiconduttori, ma di un tentativo di copiare un intero impianto di chip”, ha dichiarato l’Ufficio dei procuratori del distretto di Suwon.
Le implicazioni del furto di tecnologia
Se l’impianto domestico fosse stato copiato e prodotti di qualità simile fossero stati prodotti in massa in Cina, avrebbe causato perdite irrecuperabili per l’industria dei semiconduttori coreana. L’ex dirigente ha assunto circa 200 dipendenti da Samsung e SK Hynix per una società che ha fondato a Chengdu, nella provincia cinese del Sichuan. Sono stati incaricati di acquisire segreti commerciali dai loro ex datori di lavoro, costando a Samsung un presunto importo di 230 milioni di dollari.
La risposta di Samsung e la competizione tecnologica
Samsung Electronics e SK Hynix, due dei principali produttori di chip di memoria al mondo, hanno entrambi impianti in Cina. Le loro tecnologie sono considerate dagli esperti del settore più avanzate di quelle dei loro principali concorrenti cinesi. Mentre la competizione tecnologica tra gli Stati Uniti e la Cina si intensifica, le aziende cinesi hanno intensificato gli sforzi per acquisire competenze coreane in tecnologie critiche che vanno dai semiconduttori alle batterie per auto elettriche e in settori che includono display e cantieristica navale.