Samsung Electronics, leader mondiale nella tecnologia dei semiconduttori avanzati, ha annunciato oggi di aver completato lo sviluppo della prima DRAM Graphics Double Data Rate 7 (GDDR7) del settore. Sarà installata per la prima volta nei sistemi di prossima generazione dei principali clienti per la verifica entro quest’anno, alimentando la futura crescita del mercato grafico e consolidando ulteriormente la leadership tecnologica di Samsung nel campo.
Dettagli sulla nuova DRAM GDDR7 di Samsung
Dopo lo sviluppo da parte di Samsung della prima DRAM GDDR6 a 24Gbps del settore nel 2022, l’offerta GDDR7 da 16 gigabit (Gb) dell’azienda fornirà la velocità più alta mai raggiunta nel settore. Le innovazioni nel design dei circuiti integrati (IC) e nel packaging forniscono una maggiore stabilità nonostante le operazioni ad alta velocità.
La DRAM GDDR7 di Samsung raggiunge una notevole larghezza di banda di 1,5 terabyte al secondo (TBps), che è 1,4 volte quella di GDDR6 da 1,1TBps e presenta una velocità per pin aumentata fino a 32Gbps. Questi miglioramenti sono resi possibili dal metodo di segnalazione Pulse Amplitude Modulation (PAM3) adottato per il nuovo standard di memoria al posto del Non Return to Zero (NRZ) delle generazioni precedenti. PAM3 consente di trasmettere il 50% di dati in più rispetto a NRZ nello stesso ciclo di segnalazione.
Risparmio energetico e riduzione del calore con la nuova DRAM GDDR7
Significativamente, rispetto a GDDR6, il design più recente è il 20% più efficiente dal punto di vista energetico grazie alla tecnologia di progettazione del risparmio energetico ottimizzata per le operazioni ad alta velocità. Per le applicazioni particolarmente attente all’uso dell’energia, come i laptop, Samsung offre un’opzione di tensione di funzionamento bassa.
Per minimizzare la generazione di calore, viene utilizzato un composto di stampaggio in resina epossidica (EMC) con alta conducibilità termica per il materiale di confezionamento, oltre all’ottimizzazione dell’architettura IC. Questi miglioramenti riducono drasticamente la resistenza termica del 70% rispetto a GDDR6, contribuendo a garantire prestazioni del prodotto stabili anche in condizioni di operazioni ad alta velocità.